斩波电路IGBT模块损耗计算

IGBT模块损耗：

IGBT：

通态损耗

开关损耗（开通损耗EON、关断损耗EOFF）
FWD：

通态损耗

开关（反向恢复）损耗 ERR
斩波电路平均损耗的计算：

平均损耗计算范例

PRHMB100B12, Vcc=600V, Ic=100A, RG=10Ω,VGE=±15V, f=10kHz, 导通比 :3:1

通态损耗 : 100(A)×2.2*1(V)×3/4＝160(W)

开通损耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)＝95(W)

关断损耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)＝95(W)

IGBT 损耗合计 : 350(W)

通态损耗 : 100(A)×1.9*2(V)×1/4＝47.5(W)

开关（反向恢复）损耗 : 8.5(mJ)×10(kHz)＝85(W)

FWD 损耗合计 : 132.5(W)

模块损耗合计 482.5(W)

*1 Ic=100A, TJ=125℃时的集电极-发射极之间的饱和压降

*2 IF=100A, TJ=125℃ 时的FWD正向电压
相对于外壳温度的结温上升：

相对于环境温度、散热片温度的外壳温度上升：

接触热阻 Rth(c-f)，散热片热阻 Rth(f-a)

外壳温度和散热片/周围温度的差距

Tc－Tf Rth(c-f)×482.5

Tf－Ta Rth(f-a)×482.5

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