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    斩波电路IGBT模块损耗计算

    IGBT模块损耗:
    IGBT模块
    IGBT:
    通态损耗
    开关损耗(开通损耗EON、关断损耗EOFF)
    FWD:
    通态损耗
    开关(反向恢复)损耗 ERR
    斩波电路平均损耗的计算:
    斩波电路平均损耗的计算
    平均损耗计算范例
    PRHMB100B12, Vcc=600V, Ic=100A, RG=10Ω,VGE=±15V, f=10kHz, 导通比 :3:1
    通态损耗 : 100(A)×2.2*1(V)×3/4=160(W)
    开通损耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)=95(W)
    关断损耗 : 9.5(mJ)×10(kHz)=95(W)
    IGBT 损耗合计 : 350(W)
    通态损耗 : 100(A)×1.9*2(V)×1/4=47.5(W)
    开关(反向恢复)损耗 : 8.5(mJ)×10(kHz)=85(W)
    FWD 损耗合计 : 132.5(W)
    模块损耗合计 482.5(W)
    *1 Ic=100A, TJ=125℃时的集电极-发射极之间的饱和压降
    *2 IF=100A, TJ=125℃ 时的FWD正向电压
    相对于外壳温度的结温上升:
    相对于外壳温度的结温上升
    相对于环境温度、散热片温度的外壳温度上升:
    接触热阻 Rth(c-f),散热片热阻 Rth(f-a)
    相对于环境温度、散热片温度的外壳温度上升
    外壳温度和散热片/周围温度的差距
    Tc-Tf                       Rth(c-f)×482.5
    Tf-Ta                       Rth(f-a)×482.5

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