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    > IGBT散热 > 文章正文

    IGBT模块的损耗特性

    IGBT元件的损耗总和分为:通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。另外,内置续流二极管的损耗为导通损耗与关断(反向恢复)损耗(ERR)之和。 EON、EOFF、ERR与开关频率的乘积为平均损耗。
    IGBT的损耗:
    IGBT的损耗
    续流二极管的反向恢复损耗:
    续流二极管的反向恢复损耗
    反向恢复损耗 ERR
    开关特性的测试:
    开关特性的测试
    PDMB100B12开通损耗EON测量范例:
    PDMB100B12开通损耗EON测量范例
    PDMB100B12关断损耗EOFF测量范例:
    PDMB100B12关断损耗EOFF测量范例
    1200V B系列开通损耗 EON (Tj= 125℃),有关门极系列阻抗RG请参阅技术规格。
    1200V B系列开通损耗 EON (Tj= 125℃)
    1200V B系列关断损耗 Eoff (Tj=125C),有关门极系列阻抗RG请参阅技术规格。
    1200V B系列关断损耗 Eoff (Tj=125C)
    1200V B系列续流二极管反向恢复损耗 ERR(Tj= 125℃),有关门极系列阻抗RG请参阅技术规格。
    1200V B系列续流二极管反向恢复损耗 ERR
    1200V B系列ERR对门极串联电阻RG依存性(Tj= 125℃)
    1200V B系列ERR对门极串联电阻RG依存性

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