"

99彩票苹果版拥有全球最顶尖的原生APP,每天为您提供千场精彩体育赛事,99彩票苹果版更有真人、彩票、电子老虎机、真人电子竞技游戏等多种娱乐方式选择,99彩票苹果版让您尽享娱乐、赛事投注等,且无后顾之忧!

  • "

    加入收藏    设为首页
    热销产品
    > 热销产品 > 文章正文

    FF200R12KS4英飞凌IGBT模块

    产品作用和性能:
    英飞凌FF200R12KS4 是英飞凌公司专门针对高频应用领域而开发发行的62mmC-Series模块,在变频器中的应用实现了系统的高效率和小型化,其开关频率在20~50kHz的应用场合能发挥最大优良特性 。而在典型情况下, IGBT模块的优化,所针对的载波频率却是10kHz或更低。通常,在IGBT/FWD芯片的通态压降和开关损耗之间有一个折衷关系。高速模块在进行性能折衷时,是让通态电压偏大,以换取偏低的开关功耗,从而能在高频应用中实现最低的总功耗。其在医疗应用、电机传动、谐振逆变器应用、伺服驱动器、UPS系统作为高频开关使用。
    英飞凌IGBT模块FF200R12KS4 
    英飞凌IGBT模块FF200R12KS4
    上海菱端电子科技有限公司www.samturismo.com常备FF200R12KS4大量现货,价格从优,欢迎联系采购及技术支持。
     


    英飞凌FF200R12KS4机械特性 :
    • 封装的CTI>400 
    • 高爬电距离和电气间隙 
    • 绝缘的基板 
    • 铜基板
    • 标封装

    英飞凌FF200R12KS4 基本参数:IGBT模块,1200V/200A DUAL
     
    英飞凌FF200R12KS4 外形封装尺寸和结构图
     
    英飞凌FF200R12KS4 外形封装尺寸和结构图
     
    英飞凌FF200R12KS4 产品参数:
     
    产品种类: IGBT 模块
    产品: IGBT Silicon Modules
    品牌和型号 英飞凌FF200R12KS4
    配置: Dual
    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
    集电极—射极饱和电压: 3.2 V
    在25 C的连续集电极电流: 275 A
    栅极—射极漏泄电流: 400 nA
    功率耗散: 1.4 kW
    最大工作温度: + 125 C
    封装 / 箱体: 62 mm
    商标: Infineon Technologies
    栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
    最小工作温度: - 40 C
    安装风格: Screw
    产品价格和中英文资料 联系我们咨询和索取
    每盒数量: 10
     
    英飞凌FF200R12KS4  等效电路
    英飞凌FF200R12KS4  等效电路
     
    英飞凌FF200R12KS4 IGBT模块受损原因分析
     
     IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:
      --IGBT栅极与发射极之间的电压;
      --IGBT集电极与发射极之间的电压;
      --流过IGBT集电极-发射极的电流;
      --IGBT的结温。
      如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。
      验证码: 点击我更换图片
         上海菱端电子科技有限公司:
         联系人:夏小姐
         服务热线:021-58979561
         业务咨询qq:447495955
         业务咨询qq:1852433657
         业务咨询qq:513845646
         技术支持qq:313548578
         技术交流群:376450741
         业务咨询:  点这里给我发消息
         业务咨询:  点这里给我发消息
         业务咨询:  点这里给我发消息
         技术支持:  点这里给我发消息
         媒体合作:  点这里给我发消息

      99彩票苹果版